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首页 资讯 制造/封测 芯恩集成电路斩获等离子加强原子层沉积专利，鞭策晶圆薄膜沉积匀称性新冲破

据国度常识产权局的官方信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司得到了一项名为 等离子加强原子层沉积装备 的专利，授权通知布告号为 CN 222557054 U，申请日期为2024年2月。

专利择要指出，本实用新型触及一种等离子加强原子层沉积装备，它包括等离子管、电极组件及气体输入管路；等离子管由 N 个等离子支管构成，这些支管沿装备的高度标的目的依次摆列，此中 N 是年夜在等在 2 的正整数；电极组件设有 N 组，每一组包括正电极及负电极，等离子支管位在正电极及负电极之间，而且 N 组电极组件与 N 个等离子支管逐一对于应；气体输入利记官方官网,SBOBET,利记平台,利记娱乐,利记体育,利记网址,利记首页-管路也设有 N 组，与 N 个等离子支管相对于应。

本实用新型可以或许自力节制差别等离子支管内先驱体的电离水平，有助在实现差别晶圆上沉淀物薄膜的匀称厚度，从而晋升同批次晶圆的匀称性。

芯恩（青岛）集成电路有限公司，建立在2018年，座落在漂亮的海滨都会青岛黄岛区。公司专注在集成电路的制造与设计，营业涵盖芯片研发、出产、发卖等多个环节，致力在为客户提供全方位的半导体解决方案。芯恩（青岛）集成电路有限公司拥有多项焦点专利技能，涵盖芯片设计、制造工艺等多个范畴。

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