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近期，南京芯干线科技吐露，本年第一季度，公司以第三代半导体技能为焦点驱动力，于AI算力基础举措措施、消费电子快充、高端音响电源和商用储能范畴连破壁垒，乐成打入多个全世界一线品牌供给链。

AI算力基建范畴，芯干线自立研发的 700V加强型氮化镓（GaN）功率器件和1200V碳化硅（SIC）MOSFET，颠末21年到24年近三年的从器件单体到体系集成等多轮多情况测试，顺遂经由过程某全世界某一线AI办事器品牌体系商的靠得住性验证，估计于25年第二季度正式接单量产。

3C消费电子范畴，芯干线为某全世界一线手机品牌定制的45W氮化镓PD快充方案Q1实现范围化量产。该方案集成为了公司第三代 GaN HEMT器件（X3G6516B5），X3G6516B5是700V加强型(E-mode)氮化镓功率器件，通态电阻150m ，DFN5x6封装。

专业音频范畴，芯干线针对于高端音响功铺开发的氮化镓电源方案，已经经由过程国际一线品牌的认证并实现量产。

新能源储能范畴，芯干线为海内某头部商用储能企业定制的1200V全碳化硅模块，（XS004HB120N六、XS003HB120N6）,在Q1正式投产。3m 超低导通电阻，于导通电阻与动态机能上均实现了相称年夜的晋升。

瞻望2025，芯干线规划将研发投入晋升至营收的25%，重点冲破车规级SIC MOSFET与800V高压快充方案，方针于新能源汽车功率半导体市场实现从0到1的冲破。

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